方法:云开体育
HPU800R900PD-G,硅N沟说念增强型MOSFET,通过超结时刻赢得,该时刻缩小了导通损耗,升迁了开关性能并增强了雪崩能量。该晶体管可用于各式功率开关电路,以完结系统微型化和升迁效果。
特征:
快速切换
低栅极电荷
低反向传输电容
100% 单脉冲雪崩能量测试
卤素解放
王人纳二极管保护
哄骗:
适配器、充电器和LED的电源开关电路
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2025